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關于天岳

概況

About SICC

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Crystallize the future.
  • 山東天岳先進科技股份有限公司
    SICC Co.,Ltd.
  • 2010年11月2日
  • 宗艷民
  • RMB  429,711,044.00
  • 山東省濟南市槐蔭區(qū)天岳南路99號
  • 濟南工廠   濟寧工廠   上海工廠   日本公司

From SiC to SICC

山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司秉承“先進·品質(zhì)·持續(xù)”的經(jīng)營理念,以滿足客戶需求、幫助客戶解決問題為導向,重視產(chǎn)品品質(zhì)和服務品質(zhì),自主掌握工藝技術(shù),積極拓展市場,追求業(yè)務可持續(xù)發(fā)展。

碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料,和傳統(tǒng)材料相比具有更加優(yōu)異的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能,在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。但優(yōu)越的物理性能背后是精密且復雜的制備工藝,碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環(huán)境下進行,且微小的環(huán)境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質(zhì)。

公司依托卓越的研發(fā)團隊和多年積累的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗,重視技術(shù)引領、品質(zhì)提升,長期堅持創(chuàng)新,以打造一體化解決方案為核心,完善服務、完善產(chǎn)品,力爭成為國際著名的半導體材料公司。

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